- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NX3008PBKS,115-VB
P+P沟道；电压：-20V；电流：-1.8A；导通电阻：155(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NX3008PBKS,115-VB
- 商品编号
- C52209309
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 测试栅极电阻 (Rg)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
- P 沟道 MOSFET
- PMDT670UPE,115-VB
- PMGD290UCEA/DG/B2115-VB
- PMG85XP125-VB
- PSMN8R9-100BSE,118-VB
- BUK9640-100A/C1,118-VB
- BUK9635-100A-118-VB
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- PSMN057-200B-VB
- PSMNR90-30BL-VB
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- PSMN2R0-60ES-VB
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- BUK662R4-40C-VB
- BUK764R0-40E-VB
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- BUK9614-55A-VB
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