HG25Q256BMW/TR

支持单/双/四I/O模式的串行闪存，具备先进安全特性和自动编程/擦除算法

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描述: 3V, 256M-BIT [ x1/ x2/ x4] (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY
品牌名称: HGSEMI(华冠)
商品型号: HG25Q256BMW/TR
商品编号: C52204739
商品封装: SOP-8-208mil
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

HG25Q256B是一款256Mb串行NOR闪存，内部配置为33，554，432 × 8位。当处于双I/O或四I/O模式时，其结构变为134，217，728位 × 2或67，108，864位 × 4。该器件采用串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的3线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入、串行数据输入和串行数据输出。通过CS#输入使能对器件的串行访问。在双I/O读取模式下，SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚，用于地址/哑元位输入和数据输出。在四I/O读取模式下，SI引脚、SO引脚和WP#引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚和SIO2引脚，用于地址/哑元位输入和数据输出。HG25Q256B提供对整个芯片的顺序读取操作。在发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法，对指定的页或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。编程命令可按字节、页或字执行。擦除命令可按4K字节扇区、32K字节块、64K字节块或整个芯片执行。为方便用户接口，包含一个状态寄存器以指示芯片状态。可发出状态读取命令，通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。高级安全特性增强了保护和安全性功能。当器件不操作且CS#为高电平时，将进入待机模式。HG25Q256B采用专有存储单元，即使在100，000次编程和擦除周期后仍能可靠存储内容。

商品特性

支持串行外设接口——模式0和模式3
单电源工作：读取、擦除和编程操作电压为2.7V至3.6V
结构为268，435，456 × 1位，或134，217，728 × 2位，或67，108，864 × 4位
协议支持：单I/O、双I/O和四I/O
抗闩锁能力：从-1V至Vcc+1V可达100mA
低Vcc写入禁止电压为1.5V至2.5V
SPI模式快速读取：所有协议支持高达133MHz的时钟频率
支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
支持双倍传输率模式
可为快速读取操作配置哑元周期数
支持性能增强模式——就地执行
提供四线外设接口
具有4K字节等扇区，或32K字节/64K字节等块
可单独擦除任何块
编程：256字节页缓冲区；四输入/输出页编程以提升编程性能
典型100，000次擦除/编程周期
20年数据保存期
输入数据格式：1字节命令码
高级安全特性：块锁定保护；单独扇区保护功能
附加4K位安全一次性可编程存储器：具有标识符；出厂锁定可识别，客户可锁定
命令复位
编程/擦除挂起和恢复操作
电子识别：JEDEC 1字节制造商ID和2字节器件ID；RES命令用于1字节器件ID；REMS命令用于1字节制造商ID和1字节器件ID
支持串行闪存可发现参数模式
串行时钟输入
串行数据输入或用于2×I/O和4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
串行数据输出或用于2×I/O和4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
硬件写保护或用于4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
硬件复位引脚或用于4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
硬件复位引脚
无连接或用于4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
封装：8引脚SOP；所有器件均符合RoHS标准且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	-
	擦写寿命	100000次