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CB2305
SOT-23封装P沟道8-V(D-S) TrenchFET功率MOSFET，适用于便携式设备负载开关和DC/DC转换器
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- CB2305
- 商品编号
- C52191461
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器