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CB2324
N沟道MOSFET，具有低导通电阻、TrenchFET功率技术和表面贴装封装，适用于DC/DC转换器、负载开关和LCD电视LED背光
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- CB2324
- 商品编号
- C52191466
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 234mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(ON)
- 表面贴装封装
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 液晶电视LED背光源