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CB2309
塑料封装P沟道增强型MOSFET，适用于单双向负载开关
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- CB2309
- 商品编号
- C52191464
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 425pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CB2309采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。