商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 555pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- SOT-23封装