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NX2301P
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备逻辑电平转换功能，导通电阻低、栅极电荷低，无铅产品
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- NX2301P
- 商品编号
- C52145975
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 248pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-逻辑电平转换