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2N7002HR
N沟道MOSFET，具备直接逻辑电平接口，适用于驱动和电池供电系统
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- 2N7002HR
- 商品编号
- C52145978
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 0.3A
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 2.5Ω
- 栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 2.2Ω
- 静电放电等级:人体模型(HBM)2000V
应用领域
- 直接逻辑电平接口:晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器