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SG1M160120L
SIC MOSFET 1200V160mΩ
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- 描述
- SIC MOSFET 1200V160mΩ
- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 商品型号
- SG1M160120L
- 商品编号
- C52109933
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 14.193333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 122W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
商品特性
- 高速开关
- 开关损耗极低
- 完全可控的dv/dt
- 高阻断电压与低导通电阻
- 具有低反向恢复电荷的快速本征二极管
- 关断开关损耗与温度无关
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电器
- 升压/DC-DC转换器
- 电机控制