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SG1M160120D

SIC MOSFET 1200V160mΩ

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描述
SIC MOSFET 1200V160mΩ
品牌名称
SICHAIN(清纯)
商品型号
SG1M160120D
商品编号
C52109934
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
14.473333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)20A
耗散功率(Pd)122W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)26nC
输入电容(Ciss)590pF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)33pF
导通电阻(RDS(on))200mΩ

商品特性

  • 高速开关
  • 极低的开关损耗
  • 完全可控的 dv/dt
  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 快速本征二极管,反向恢复电荷低
  • 关断开关损耗与温度无关
  • 无卤素,符合 RoHS 标准

应用领域

  • 电动汽车充电器
  • 升压/直流-直流转换器
  • 电机控制

数据手册PDF