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SG2M1K0170DJ
SIC MOSFET 1700V1Ω
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- 描述
- SIC MOSFET 1700V1Ω
- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 商品型号
- SG2M1K0170DJ
- 商品编号
- C52109940
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 14.376667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 109pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 8.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |
商品概述
该器件是一款1700V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，采用第二代技术。
商品特性
- 导通电阻随温度变化的依赖性更平缓
- 内部栅极电阻更小，栅极电荷更低
- 器件电容低
- 卓越的性价比
- 体二极管鲁棒性强，正向压降低，反向恢复电荷少
- 业界领先的非钳位感性负载和短路鲁棒性
应用领域
- 辅助电源
- 基础设施充电器
- 压电驱动器
- 脉冲电源