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SG2M018120LJ

SIC MOSFET 1200V18mΩ

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描述
SIC MOSFET 1200V18mΩ
品牌名称
SICHAIN(清纯)
商品型号
SG2M018120LJ
商品编号
C52109936
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)121A
耗散功率(Pd)484W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)106nC
输入电容(Ciss)3.434nF
反向传输电容(Crss)9.4pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)186pF
导通电阻(RDS(on))24mΩ

商品特性

  • 高速开关
  • 极低的开关损耗
  • 完全可控的dv/dt
  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 具有低反向恢复电荷的快速本征二极管
  • 与温度无关的关断开关损耗
  • 无卤素,符合RoHS标准

应用领域

  • 车载充电器/PFC
  • 电动汽车电池充电器
  • 升压/DC-DC转换器
  • 开关模式电源供应器

数据手册PDF