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AO4430
N沟道增强型功率MOSFET，适用于电池保护和负载开关
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AO4430
- 商品编号
- C52098258
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- VDS = 30V,ID = 12A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 12mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关