温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMBF2202PT1G-TP
N沟道增强型MOSFET，低导通电阻，ESD保护，适用于高速开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- MMBF2202PT1G-TP
- 商品编号
- C52098261
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 440pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 47.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.3pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 栅极具备高达2kV HBM的静电放电(ESD)保护
- 高速开关
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
应用领域
- 开关应用