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AOD510

N沟道增强型功率MOSFET,驱动要求简单,封装外形小,表面贴装器件

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商品型号
AOD510
商品编号
C52098260
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3768克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)80nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.78nF
反向传输电容(Crss)410pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)448pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 140A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 3.0mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 3.6mΩ

应用领域

  • 简单驱动要求
  • 小封装尺寸
  • 表面贴装器件

数据手册PDF