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WSK55N20
N沟道MOSFET，具有高单元密度，适用于同步降压转换器应用，符合RoHS标准
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：55A@@功率(Pd)：158W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@10V,15A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK55N20
- 商品编号
- C52034115
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.926nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 219pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 371pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WSK55N20是一款高性能平面N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 WSK55N20符合RoHS和绿色产品要求,100%通过EAS测试,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%经过UIS和Rg测试。
- 可靠耐用
- 提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用领域
-工业DC/DC转换器电源管理-负载开关-电池保护