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WSK55N20
WSK55N20
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：55A@@功率(Pd)：158W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@10V,15A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK55N20
- 商品编号
- C52034115
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
WSK55N20是一款高性能平面N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷。 WSK55N20符合RoHS和绿色产品要求，100%通过EAS 测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%经过UIS和Rg测试。
- 可靠耐用
- 提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用领域
-工业DC/DC转换器电源管理-负载开关-电池保护