温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSL160N20
N沟道MOSFET，适用于同步降压转换器，具备高单元密度、低导通电阻和低栅极电荷
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：160A@@功率(Pd)：530W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@10V,30A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSL160N20
- 商品编号
- C52034116
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.163333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 530W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WSL65R028F是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 WSL160N20符合RoHS和绿色产品要求,100%保证EAS,并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 经过100% UIS + Rg测试。
- 可靠耐用
- 提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用领域
-工业DC/DC转换器的电源管理-不间断电源