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WSD80N10GDN56
WSD80N10GDN56
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：80A@@功率(Pd)：111W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.7mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD80N10GDN56
- 商品编号
- C52034118
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
WSD80N10GDN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷。WSD80N10GDN56符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS ，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 经过100% UIS测试。
- 可靠耐用
- 提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用领域
-工业DC/DC转换器的电源管理-适用于高频开关和同步整流