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WSD80N10GDN56
N沟道沟槽型MOSFET，适用于同步降压转换器，具备出色导通电阻和栅极电荷特性，符合RoHS标准
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：80A@@功率(Pd)：111W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.7mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD80N10GDN56
- 商品编号
- C52034118
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.678356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WSD80N10GDN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。WSD80N10GDN56符合RoHS和绿色产品要求,100%保证EAS,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 经过100% UIS测试。
- 可靠耐用
- 提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用领域
-工业DC/DC转换器的电源管理-适用于高频开关和同步整流