- 引脚图
- 焊盘图
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X2N10GHT1B
X2N10GHT1B
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- 描述
- MOSFET N-Channel 100V 2mΩ TOLL-1L
- 品牌名称
- XYD(芯一代)
- 商品型号
- X2N10GHT1B
- 商品编号
- C51952913
- 商品封装
- TOLL-1L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 348A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC | |
| 输入电容(Ciss) | 10.873nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 157pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.545nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))的屏蔽栅极晶体管(SGT)技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换
- 电源开关
- 电机驱动