- 引脚图
- 焊盘图
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X1P5N10GHF6
X1P5N10GHF6
- 描述
- MOSFET N-Channel 100V 1.5mΩ TO-263-6L
- 品牌名称
- XYD(芯一代)
- 商品型号
- X1P5N10GHF6
- 商品编号
- C51952921
- 商品封装
- TO-263-6L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 420A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC | |
| 输入电容(Ciss) | 10.274nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.302nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低输入电容(Ciss)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
应用领域
-网络-次级侧同步整流(SR)-高频开关电源(SMPS)-直流-直流电源管理