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X8N10GHV8引脚图
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X8N10GHV8

X8N10GHV8

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描述
MOSFET N-Channel 100V 8mΩ PDFN5*6-8L (Vth(Typ)=3V)
品牌名称
XYD(芯一代)
商品型号
X8N10GHV8
商品编号
C51952919
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)37nC
输入电容(Ciss)2.042nF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.002nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 出色的 Qg x RD S \left( \text on \right) 乘积(品质因数)
  • 出色的低输入电容 Ciss
  • 高稳健性和可靠性
  • 提高最大电流能力
  • 低功耗、高功率密度

应用领域

  • 交直流快速充电器的同步整流
  • 电池管理
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF