- 引脚图
- 焊盘图
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X3N10GHF6B
X3N10GHF6B
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- 描述
- MOSFET N-Channel 100V 3mΩ TO-263-6L
- 品牌名称
- XYD(芯一代)
- 商品型号
- X3N10GHF6B
- 商品编号
- C51952915
- 商品封装
- TO-263-6L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.056nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.318nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低输入电容(Ciss)
- 快速开关
应用领域
- 网络
- 次级侧同步整流
- 高频开关电源
- 直流-直流电源管理