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FDG6318P-TP
双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON) (at VGS = -4.5V) ≤ 520mΩ。RDS(ON) (at VGS = -2.5V) ≤ 700mΩ。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDG6318P-TP
- 商品编号
- C51939557
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@4.5V；950mΩ@1.8V；624mΩ@2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
优惠活动
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