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IRFR2905ZTRPBF-TP
N沟道增强型MOSFET，低栅极电荷，可降低开关损耗
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRFR2905ZTRPBF-TP
- 商品编号
- C51939575
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5982克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源