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FDY302NZ-TP
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 20V, b = 0.8A。 RDS(ON) = 250mΩ @ VGS = 4.5V (typ)。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 2.5V (typ)。 ESD Protection。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDY302NZ-TP
- 商品编号
- C51939563
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V；250mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 0.8A
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) = 250mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) = 300mΩ(典型值)
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换
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