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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS209PW-TP

P沟道增强型MOSFET,适用于负载/电源开关、接口开关、电池管理和逻辑电平转换

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商品型号
BSS209PW-TP
商品编号
C51939538
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))430mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)200mW
阈值电压(Vgs(th))450mV
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Ciss)170pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)25pF
栅极电压(Vgs)±12V

商品特性

  • -20V,-0.7A
  • 在最大-4.5V时,RDS(导通)=520mΩ
  • 在最大-2.5V时,RDS(导通)=700mΩ
  • 在-1.8V时,RDS(导通)=950mΩ(典型值)

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF