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PJM15C30DL
N和P沟道互补功率MOSFET
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- 描述
- N+P 沟道增强型，Trench（沟槽型），N-MOS:30V/18A,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V;P-MOS:-30V/-13A,RDS(ON)<28mΩ@Vgs=-10V，通过 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM15C30DL
- 商品编号
- C51908697
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V；9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W；15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.025nF；686pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF；98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF；128pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3级
应用领域
- 升压驱动器
- 无线充电
- 无刷电机
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