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CSD25404Q3T-VB实物图
  • CSD25404Q3T-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CSD25404Q3T-VB

P沟道；电压：-20V；电流：-52A；导通电阻：4(mΩ)

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描述
特性：沟槽功率MOSFET。 热增强型DFN3x3封装。 低导通电阻，实现低压降。 符合RoHS标准。 无卤。应用：便携式设备的负载开关。 功率放大器开关
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CSD25404Q3T-VB
商品编号
C51822634
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)52A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@2.5V；4mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)89W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@8V
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)570pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)830pF

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