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CSD87502Q2T-VB
N+N沟道；电压：30V；电流：5.8A；导通电阻：22(mΩ)
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 100% US 测试。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：便携式设备，如智能手机、平板电脑和移动计算设备。 负载开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD87502Q2T-VB
- 商品编号
- C51822635
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V；22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 886pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% 进行了栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备,如智能手机、平板电脑和移动计算设备
- 负载开关
- DC/DC 转换器
- 电源管理
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