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DMT3020LSDQ-13-VB
N+N沟道；电压：30V；电流：8.5A；导通电阻：16(mΩ)
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- 描述
- 特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：笔记本系统电源。 低电流DC/DC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMT3020LSDQ-13-VB
- 商品编号
- C51822654
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V；14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流DC/DC
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