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DMT3020LSDQ-13-VB实物图
  • DMT3020LSDQ-13-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DMT3020LSDQ-13-VB

N+N沟道；电压：30V；电流：8.5A；导通电阻：16(mΩ)

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描述
特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：笔记本系统电源。 低电流DC/DC
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
DMT3020LSDQ-13-VB
商品编号
C51822654
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V；20mΩ@4.5V
栅极电荷量(Qg)7.1nC@4.5V；14.5nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)86pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)140pF

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