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DMP2006UFGQ-13-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-52A；导通电阻：4(mΩ)
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：负载开关。 适配器/电池开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMP2006UFGQ-13-VB
- 商品编号
- C51822651
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V；6mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.3nC@10V；46.5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 813pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 910pF |
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