温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW25NM60N-VB
N沟道；电压：600V；电流：20A；导通电阻：160(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低品质因数（FOM） Rₒₙ × Q₉。 低输入电容（Cᵢₛₛ）。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷（QG）。 雪崩能量额定（UIS）。应用：服务器和电信电源。 开关电源（SMPS）
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STW25NM60N-VB
- 商品编号
- C51822617
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- STW26N60M2-VB
- TK125N60Z1-VB
- AUIRLR2905TRL-VB
- BSO150N03MD G-VB
- BSO4804HUMA2-VB
- BSZ009NE2LS5ATMA1-VB
- BSZ010NE2LS5ATMA1-VB
- BSZ013NE2LS5IATMA1-VB
- BSZ014NE2LS5IFATMA1-VB
- BSZ018NE2LSIATMA1-VB
- BSZ031NE2LS5ATMA1-VB
- BUK6213-30C-VB
- BUK6228-55C-VB
- BUK7225-55A-VB
- BUK7237-55A-VB
- CSD25404Q3T-VB
- CSD87502Q2T-VB
- DI030N03D1-VB
- DMN3016LK3-13-VB
- DMN4026SSD-13-VB
- DMN4026SSDQ-13-VB