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BSZ018NE2LSIATMA1-VB
N沟道；电压：20V；电流：100A；导通电阻：2(mΩ)
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- 描述
- 特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2011/65/EU。应用：OR-ing。 Server
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ018NE2LSIATMA1-VB
- 商品编号
- C51822627
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@2.5V；2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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