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BSS84V

双P沟道MOSFET,节能、低阈值电压、高速开关、节省电路板空间,适用于小型电源管理电路

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品牌名称
CBI(创基)
商品型号
BSS84V
商品编号
C51822260
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.025367克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))4.5Ω@10V
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Ciss)30pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)10pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源,使该器件非常适合用于小型电源管理电路。

商品特性

-节能-低阈值电压-高速开关-微型表面贴装封装节省电路板空间

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 负载开关
  • 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、移动电话和无绳电话)的电源管理

数据手册PDF