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MMUN2215

50V 100mA

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描述
此系列NPN数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管(BRT)包含一个NPN晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该BRT将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用BRT可以同时降低系统成本和节省PCB板空间。适用于开关、反相器及接口电路。
品牌名称
CBI(创基)
商品型号
MMUN2215
商品编号
C51822275
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031067克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)160
射基极击穿电压(Vebo)-
最小输入电压(VI(on))-
属性参数值
最大输入电压(VI(off))-
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻13kΩ
电阻比率-
工作温度-
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)100nA