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BC817PN
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA；500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V；45V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW；200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 400；400 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz；80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA；100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV；700mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V；5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品特性
- 外延芯片结构
- 单封装内包含两个独立的NPN/PNP（BC817W + BC807W）晶体管