温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD5B65D
N场 TO-252 650V 5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MOS管，TO-252，N场，耐压：650V，电流：5A，功率：65W，CissTyp：260PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5B65D
- 商品编号
- C51793161
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 输出电容(Coes) | 40pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 9A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@500uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 260pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 84ns | |
| 导通损耗(Eon) | 195mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 84mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 195ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 6pF |
相似推荐
其他推荐