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CMD60R180S6ZD
N场 TO-252 600V 20A
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- 描述
- COOLMOS，TO-252，N场，耐压：600V，电流：20A，10V内阻：0.18Ω，功率：75W，CissTyp：1400PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD60R180S6ZD
- 商品编号
- C51793162
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
60R180S6ZD 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻、栅极电荷和较低的振铃倾向。因此，其开关损耗极低，非常适合开关应用。此外，这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管，具备增强的耐用性和出色的静电放电（ESD）能力，是设计师的理想之选。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 适配器
- PFC 电源级
- DC-DC 转换器