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CMH75N65EH5
N场 TO-247 650V 75A
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- 描述
- MOS管，TO-247，N场，耐压：650V，电流：75A，CissTyp：5000PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH75N65EH5
- 商品编号
- C51793168
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 输出电容(Coes) | 200pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 148A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.82V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 5nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 70.4ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 211.2ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.04mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.33mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 95.8ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 45pF |