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CMSA100P04B
P场 DFN-8 5x6 -40V -100A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，P场，耐压：-40V，电流：-100A，10V内阻：0.0079Ω，CissTyp：5300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA100P04B
- 商品编号
- C51793177
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- DFN-8 5x6引脚配置
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关