- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VS4401AKH
N沟道先进功率MOSFET，增强模式，超低导通电阻
- 描述
- NMOS,VDS 40V,VGS ±25V,VTH 2.6~3.6V,ID 260A,PD 366W,RDS Typ @10V=0.85mΩ,Package TOLL
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VS4401AKH
- 商品编号
- C51739631
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 366W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 234nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 15.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.17nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.78nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 增强型
- 超低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 100%雪崩测试,100%栅极电阻测试
- TOLL封装
- 无铅
- 无卤