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VS1893GMH
100V/195A N沟道先进功率MOSFET
- 描述
- NMOS,VDS 100V,VGS ±20V,VTH 2.5~3.5V,ID 195A,PD 283W,RDS Typ @10V=1.8mΩ,Package TO-263
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VS1893GMH
- 商品编号
- C51739654
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.795nF |
商品特性
- 增强型
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- VitoMOS II技术
- 100%雪崩测试,100%栅极电阻Rg测试
- 优化栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd和Qgd/Qgs比,以最小化开关损耗
- 无铅
- 无卤