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VS1505AB
P沟道高级功率MOSFET，增强模式，100%雪崩测试和100%栅极电阻测试
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- 描述
- Trench NMOS,VDS -100V,VGS ±20V,VTH -1.2~-2.3V,ID -27A,PD 96W,RDS Typ @10mΩ=56V,Package TDFN3333
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VS1505AB
- 商品编号
- C51739642
- 商品封装
- TDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144966克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 增强型
- 100%雪崩测试,100%栅极电阻(Rg)测试
- 优化栅极电荷(Qg)、栅漏电荷(Qgd)以及Qgd/Qgs比,以降低开关损耗
- 无铅
- 无卤