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TD8205A
20V 6A N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 双 N 沟道增强型 MOS 场效应管
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- TD8205A
- 商品编号
- C50675581
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0776克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95.48pF |
商品特性
- 专有的先进平面技术
- 高密度超低电阻设计
- 大功率、大电流应用
- 理想的锂电池应用
- 封装形式:SOT23 - 6.TSSOP8
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统