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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFWS014N08XT1G

N沟道功率MOSFET,低QRR、软恢复体二极管,低导通电阻,符合AEC - Q101标准,适用于同步整流、电机驱动和汽车48V系统

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFWS014N08XT1G
商品编号
C50376223
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.54克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))13.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)7.9nC
属性参数值
输入电容(Ciss)565pF
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)165pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低 QRR,软恢复体二极管
  • 低 RDS(on),以最小化传导损耗
  • 通过 AEC - Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准

应用领域

  • 直流 - 直流和交流 - 直流中的同步整流(SR)
  • 电机驱动
  • 汽车 48V 系统

数据手册PDF