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IPB175N20NM6ATMA1
N沟道、低导通电阻、低反向恢复电荷的OptiMos M6功率晶体管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB175N20NM6ATMA1
- 商品编号
- C50374445
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 203W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道，常态电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 175°C工作温度
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1
- 100%雪崩测试