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LM74910HQRGERQ1

汽车用理想二极管控制器，具备断路器、欠压和过压保护及故障输出功能，可驱动外部背对背N沟道MOSFET，具备低功耗睡眠模式

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74910HQRGERQ1
商品编号: C50341505
商品封装: VQFN-24(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 3.68克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

LM749x0-Q1理想二极管控制器驱动并控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径通/断控制、过流和过压保护的理想二极管整流器。3V至65V的宽输入电源可对12V和24V汽车电池供电的电子控制单元（ECU）进行保护和控制。该器件能够承受低至 -65V的负电源电压，并保护负载。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET，以替代用于反向输入保护和输出电压保持的肖特基二极管。通过在电源路径中使用第二个MOSFET，该器件可在过流和过压事件发生时，使用HGATE控制实现负载断开（通/断控制）。该器件集成了电流检测放大器，可提供精确的电流监测，并具有可调的过流和短路阈值。该器件具有可调的过压截止保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗（6µA），同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1的最大电压额定值为65V。

商品特性

符合汽车应用的AEC-Q100标准
器件温度等级1：环境工作温度范围为 -40°C至 +125°C
具备功能安全能力
提供有助于功能安全系统设计的文档
输入范围为3V至65V
LM74910H-Q1的绝对最大额定值为74V
反向输入保护低至 -65V
以共漏配置驱动外部背对背N沟道MOSFET
理想二极管工作，正向压降调节为10.5mV（A至C）
低反向检测阈值（ -10.5mV），快速关断响应（0.5µs）
20mA峰值栅极（DGATE）开启电流
2.6A峰值DGATE关断电流
可调过流和短路保护
LM74910H-Q1的模拟电流监测输出精度为2%
可调过压和欠压保护
LM74910H-Q1的睡眠模式过流保护重试功能
低2.5µA关断电流（EN = 低）
睡眠模式电流为6µA（EN = 高，SLEEP = 低）
搭配合适的瞬态电压抑制（TVS）二极管，满足汽车ISO7637瞬态要求
采用节省空间的24引脚VQFN封装

应用领域

汽车电池保护
- 高级驾驶辅助系统（ADAS）域控制器
- 信息娱乐和仪表盘
- 汽车音频：外部放大器
冗余电源的有源ORing