温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IQEH54NE2LM7UCGATMA1
N沟道逻辑电平OptiMos M7功率晶体管，适用于硬开关拓扑
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQEH54NE2LM7UCGATMA1
- 商品编号
- C50344260
- 商品封装
- TFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 406A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- N沟道，逻辑电平
- 针对硬开关拓扑进行优化
- 针对最佳FOMoss进行优化
- 具有出色的米勒比，确保dv/dt的耐用性
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 经过100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤