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W958D6NWSX5I TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

W958D6NWSX5I TR

W958D6NWSX5I TR

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品牌名称
Winbond(华邦)
商品型号
W958D6NWSX5I TR
商品编号
C50345174
商品封装
WLCSP-30​
包装方式
-
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录PSRAM(伪静态)
属性参数值
功能特性部分阵列刷新;刷新冲突指示;内置自动刷新逻辑;硬件复位功能

商品概述

HyperRAM是一种采用HyperBus或HyperBus-Extend-IO的伪静态随机存取存储器(pSRAM)设备,这两种接口都是低信号数、双倍数据速率(DDR)接口。DDR协议在DQ输入/输出引脚上每个时钟周期传输两个8位或两个16位数据。HyperBus由8位宽的DQ信号组成,一个时钟周期可以传输16位宽的数据;而HyperBus-Extend-IO由16位宽的DQ信号组成,一个时钟周期可以传输32位宽的数据。所有输入和输出都与LV-CMOS兼容。每个HyperRAM设备可能因其设备名称不同而具有不同的特性。例如,HyperRAM 3.0设备是低信号数的HyperRAM设备之一,包括16个DQ引脚、双倍数据速率(DDR)的HyperBus-Extend-IO接口,可实现更高的读写吞吐量。

商品特性

  • 接口:HyperBus-Extend-IO(HyperRAM 3.0)
  • 电源:1.7V ~ 2.0V
  • 最大时钟速率:250MHz
  • 双倍数据速率(DDR),最高可达1000MB/s
  • 时钟:单端时钟(CK);差分时钟(CK/CK#)
  • 片选(CS#)
  • 16位数据总线(DQ[15:0])
  • 硬件复位(RESET#)
  • 读写数据选通(RWDS[1:0])
  • 双向数据选通/掩码:在所有事务开始时输出以指示刷新延迟;在读取事务期间作为读取数据选通输出;在写入事务期间作为写入数据掩码输入
  • 可配置输出驱动强度
  • 节能模式:混合睡眠模式;深度掉电
  • 可配置突发特性:线性突发;环绕突发长度:16(8个时钟);32(16个时钟);64(32个时钟);128(64个时钟);混合突发 - 一个环绕突发后接线性突发
  • 阵列刷新模式:全阵列刷新;部分阵列刷新
  • 工作温度范围:-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

数据手册PDF