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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 | |
| 特征频率(fT) | 280MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
商品特性
- 适用于功率驱动
- 互补NPN类型：2SCR574D3
- 低VCE(sat)（VCE(sat) = -400mV (最大值)，IC/IB = -1A/-50mA）
应用领域
- 低频放大器